Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3960UB
TRANS NPN 12V UB
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3960
2N3960UB Hakkında
2N3960UB, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount teknolojisiyle imal edilen bu transistör, 3-SMD No Lead paketinde sunulmaktadır. Maksimum collector-emitter breakdown voltajı 12V, maksimum güç dağılımı 400mW'dir. Minimum DC current gain (hFE) 60 (10mA, 1V'de), saturation voltajı maksimum 300mV (3mA baz akımı, 30mA collector akımında) olarak belirtilmiştir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikatör devrelerinde kullanılır. Düşük collector cutoff akımı (10µA) sayesinde duyarlı elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok