Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3960
TRANS NPN 12V TO-18
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N3960
2N3960 Hakkında
2N3960, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-18 metal kutulu paket içinde sunulan bu bileşen, 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 400mW maksimum güç tüketimi ile karakterizedir. 60 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 10mA collector akımında çalıştırılabilir. Vce saturation voltajı maksimum 300mV olup, 3mA base akımında 30mA collector akımı sağlar. -65°C ile +200°C arasında çalışan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında, düşük sinyal işlemede ve mantık devre uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipiyle PCB'ye direkt lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok