Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3906
T-PNP SI-GEN PUR AMP SW
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N3906
2N3906 Hakkında
2N3906, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi silikon bipolar junction transistördür (BJT). Genel amaçlı sinyal işleme ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 200mA maksimum collector akımı, 625mW güç dissipasyonu ve 250MHz transition frekansı ile orta hızlı switching ve amplifikasyon işlemlerinde kullanılır. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, düşük seviye sinyal amplifikasyonu, osilatör devreleri, darbe şekillendirme ve genel amaçlı switch uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 40V BVECO breakdow gerilimi ile entegre edici devreler ve ayrık transistör uygulamalarında güvenle çalıştırılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok