Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3859A_D75Z
TRANS NPN 60V 0.5A TO-92
2N3859A_D75Z Hakkında
2N3859A_D75Z, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 paketlemesinde sunulmaktadır. 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir bileşendir. 250MHz geçiş frekansı ve minimum 100 hFE DC akım kazancı ile orta hızlı anahtarlama operasyonlarında tercih edilir. 625mW maksimum güç tüketimi ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük-orta güçlü aplikasyonlarda yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilme kapasitesi, endüstriyel ve geniş sıcaklık aralığına sahip ortamlar için uygunluğunu göstermektedir. Parça obsolete (kullanım dışı) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 1V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok