Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N3859A

TRANS NPN 60V 500MA TO92-3

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N3859A

2N3859A Hakkında

2N3859A, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu bileşen, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 250MHz transition frequency özelliğine sahip olan transistör, düşük seviye sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 1mA collector akımında stabil performans sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 625mW maksimum güç dissipasyonu ile küçük sinyallerle çalışan düşük güçlü devreler için uygundur. Parça şu anda üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok