Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3749
TRANSISTOR POWER BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- Stud
- Seri / Aile Numarası
- 2N3749
2N3749 Hakkında
2N3749, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir güç transistörüdür. TO-111-4 stud mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 5A collector akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışabilir. Maksimum 2W güç dağıtma kapasitesine sahiptir. Saturation durumunda 1.5V VCE voltajı ile 5A akım kaldırabilen bu transistör, -65°C ile 200°C sıcaklık aralığında stabil şekilde çalışır. DC current gain (hFE) minimum 40 değerini 1A akımda ve 2V VCE'de sağlar. Collector cutoff akımı maksimum 20µA'dır. Stud mount yapısı sayesinde yüksek ısı yayılımı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Güç amplifikasyon, anahtar uygulamaları ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 20µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 1A, 2V |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-111-4, Stud |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2 W |
| Supplier Device Package | TO-111 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 500mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok