Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3702
T-PNP SI- AMP DRIVER
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2N3702
2N3702 Hakkında
2N3702, NTE Electronics tarafından üretilen PNP silikon bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal amplifikasyon ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-92-3 paketinde sunulan bu komponent, 500 mA'e kadar collector akımı ve 625 mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 100 MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. Minimum 60'lık DC current gain (hFE) ve 25 V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı amplifikasyon devrelerinde, sürücü uygulamalarında ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok