Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3701
THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N3701
2N3701 Hakkında
2N3701, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, through-hole montajı için tasarlanmıştır. TO-18 metal kasa paketinde sunulan bu bileşen, 1A maksimum collector akımı, 100 minimum DC current gain (hFE), 80MHz transition frequency ve 1.8W maksimum güç dağılımı özellikleri ile karakterize edilir. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı ile orta-güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ile 200°C arasında) sayesinde endüstriyel ortamlarda da kullanılabilir. Anahtarlama devrelerinde, amplifikatör tasarımlarında ve genel sinyal işleme uygulamalarında tercih edilen klasik bir transistör türüdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 80MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.8 W |
| Supplier Device Package | TO-18 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok