Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3646
TRANSISTOR NPN TO-106
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-106-3 Domed
- Seri / Aile Numarası
- 2N3646
2N3646 Hakkında
2N3646, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-106-3 Domed paketinde sunulmaktadır. 200mA maksimum collector akımı, 350MHz transition frequency ve 15V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200mW maksimum güç derecelendirmesi ve 30 @ 30mA, 400mV koşullarında verilen minimum DC current gain ile düşük sinyalli ve orta güç uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında çalışabilmesi sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanım görmüştür. Through hole montajı ve kompakt yapısı nedeniyle eski ekipman tasarımları ve onarımlarında yaygın olarak yer almıştır. Ürün halen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 400mV |
| Frequency - Transition | 350MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-106-3 Domed |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | TO-106 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok