Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3637UB/TR
TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3637
2N3637UB/TR Hakkında
2N3637UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal PNP bipolar junction transistördür (BJT). SMD (Surface Mount Device) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1A collector akımı ve 175V Vce(br) breakdown voltajı ile çalışır. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile 50mA collector akımında ve 10V Vce'de özelliklendirilmiştir. Maksimum 1.5W güç dağıtım kapasitesi ve 600mV doyum voltajı (Vce(sat)) ile karakterize edilen bu bileşen, -65°C ile 200°C arasında çalışır. Genel amaçlı düşük güçlü anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve ön aşama amplifikatörlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok