Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3636UB
TRANS PNP 175V 1A
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3636
2N3636UB Hakkında
2N3636UB, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek voltaj PNP bipolar transistördür. 175V Vce(max) ile tasarlanan bu bileşen, 1A maksimum kolektör akımında çalışabilir. 3-SMD Surface Mount paketinde sunulan transistör, -65°C ile 200°C arasında sıcaklık aralığında kullanılabilir. 1.5W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Vce(sat) 600mV @ 50mA koşulunda belirtilmiştir. Minimum hFE değeri 50'dir (50mA, 10V koşullarında). 10µA maksimum ICBO cutoff akımı ile düşük sızıntı akımı özelliği gösterir. Anahtarlama devrelerinde, amplifikasyon uygulamalarında ve düşük sinyal işleme devreleri için uygundur. İleri doğru temas potansiyeliyle çalışan bu PNP bileşeni, NPN transistörlerle tamamlayıcı çift oluşturabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.5 W |
| Supplier Device Package | 3-SMD |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 175 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok