Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3501UB/TR
TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3501
2N3501UB/TR Hakkında
2N3501UB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen küçük sinyal NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount 3-SMD No Lead paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve düşük güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300mA maksimum kolektör akımı, 150V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mW güç derecelendirmesi ile genel amaçlı sinyal işleme, lojik seviyelendirme ve anahtarlama devrelerinde yer alır. -65°C ile 200°C arasında çalışan geniş sıcaklık aralığı ve 100 minimum DC akım kazancı ile güvenilir performans sağlar. 400mV maksimum Vce doyma voltajı doyma işleminde hızlı geçişi kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 300 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok