Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N3501E3

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
2N3501

2N3501E3 Hakkında

2N3501E3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi silikon güç transistörüdür. TO-39 metal kasa içinde sunulan bu bileşen, 150V kollektor-emitter kırılma gerilimi ve 300mA maksimum kollektor akımı ile çalışır. 500mW güç sınırlaması ile tasarlanmış olup, -65°C ile +200°C arasında sıcaklık aralığında çalışabilmektedir. 100 (minimum) DC akım kazancı ve 400mV saturasyon gerilimi özellikleri sayesinde anahtarlama ve güçlendirme uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan lehimleme yapılabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 150 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok