Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3440E3
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3440
2N3440E3 Hakkında
2N3440E3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipinde bir power silicon transistördür. TO-39 metal kutusu paketlemede sunulan bu komponent, 250V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 40 minimum DC current gain (hFE) ile 20mA collector akımında ve 10V Vce değerinde çalışır. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Geçiş hızlı anahtarlaması ve düşük saturation voltajı (500mV @ 50mA) sayesinde güç kaynakları, motor sürücüleri ve aydınlatma uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipiyle PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 µA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok