Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3439U4
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 3-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3439
2N3439U4 Hakkında
2N3439U4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1A kolektör akımı, 350V CE breakdown voltajı ve 800mW güç disipasyon kapasitesi ile orta güçlü anahtarlama ve amplifikasyon işlemlerinde tercih edilir. SMD 3-pinli U4 paketinde sunulan bu transistör, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) istikrarlı performans gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve genel amaçlı amplifikasyon işlemlerinde yaygın olarak kullanılır. VCE(sat) maksimum 500mV ile düşük saturasyon voltajı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | U4 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok