Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N3415_D27Z

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N3415

2N3415_D27Z Hakkında

2N3415_D27Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 25V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 500mA maksimum kolektor akımı ile çalışan bu bileşen, 625mW güç tüketiminde tasarlanmıştır. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleri ile düşük sinyalli amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlayan transistör, klasik analog ve dijital devre tasarımlarında yaygın olarak tercih edilmiştir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 4.5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok