Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N3415_D26Z

TRANS NPN 25V 0.5A TO-92

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2N3415

2N3415_D26Z Hakkında

2N3415_D26Z, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92-3 paket içinde sunulmaktadır. Maksimum 25V kolektör-emitter gerilimi ve 500mA kolektör akımı desteği ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılan genel amaçlı bir transistördür. DC akım kazancı (hFE) 180 minimum değeri ile, düşük ve orta seviye sinyal işleme devrelerinde, ses frekansı amplifikatörlerde, anahtarlama devreleri ve mantık devrelerinde yer bulur. 625mW maksimum güç kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında tercih edilebilir. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB tasarımları için uygundur. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 4.5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status Obsolete
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 3mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok