Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N3057A

TRANS NPN 80V 1A TO-46

Paket/Kılıf
TO-206AB
Seri / Aile Numarası
2N3057A

2N3057A Hakkında

2N3057A, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-46 metal can paketinde sunulan bu komponent, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile düşük-orta seviye sinyal işleme, ses amplifikasyon, RF uygulamaları ve kontrol devrelerinde yer alır. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Minimum 50 hFE DC akım kazancı ve 500mV doyum voltajı ile düşük güç tüketiminde etkili çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package TO-46-3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok