Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N3019S

TRANS NPN 80V 1A TO-39

Paket/Kılıf
TO-205AD
Seri / Aile Numarası
2N3019

2N3019S Hakkında

2N3019S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kasa içinde sunulan bu transistör, 80V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum kollektör akımı ile çalışmaktadır. 50 @ 500mA, 10V koşullarında 50 minimum DC akım kazancı sunmaktadır. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu bileşen, through-hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan lehimlenir. Klasik analog elektronik devreleri, kontrol uygulamaları ve sinyal işleme sistemlerinde tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok