Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3019
T-NPN SI- AF PREAMP DR
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N3019
2N3019 Hakkında
2N3019, NTE Electronics tarafından üretilen silikon NPN tipi bipolar junction transistördür. TO-39 metal kasa paketinde sunulan bu transistör, audio frekans preamplifier uygulamalarında kullanılır. 100 MHz transition frekansı ve 1 A maksimum collector akımı kapasitesi ile sinyal işleme ve amplifikasyon devrelerinde çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 80 V collector-emitter voltajı breakdown değeri ve 500 mV saturation voltajı ile belirtilen çalışma koşullarında güvenilir performans sağlar. 150 mA collector akımında minimum 100 hFE DC akım kazancı sunmaktadır. Düşük 10 nA ICBO cutoff akımı ile minimum kaçak akımına sahiptir. 800 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi, aktif bölgede ve saturation bölgesinde lineer amplifikasyon uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok