Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N3019
TRANS NPN 80V 1A TO-5
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AA
- Seri / Aile Numarası
- 2N3019
2N3019 Hakkında
2N3019, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-5 metal kapsülde sunulan bu transistör, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile belirlenmiştir. 800mW güç dissipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 500mA collector akımında ve 10V VCE'de minimum 50'dir. Düşük saturasyon gerilimi (maksimum 500mV) ve yüksek çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ile 200°C arası) sayesinde güç uygulamaları, anahtar devreleri ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipiyle PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-5 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok