Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N3019

NPN SIL TRANS TO39

Üretici
Solid State Inc.
Paket/Kılıf
TO-205AA
Seri / Aile Numarası
2N3019

2N3019 Hakkında

2N3019, Solid State Inc. tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kutu paketi ile sunulmaktadır. Maksimum 1A kolektör akımı, 100MHz geçiş frekansı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç dissipasyonuna sahip olan bu transistör, 150mA ve 10V koşullarında minimum 100 hFE DC akım kazancı sağlar. Saturasyon voltajı 500mV (50mA taban, 500mA kolektör akımında) ile tanımlanmıştır. 200°C'ye kadar çalışabilen bu komponent, anahtarlama devreleri, küçük sinyal amplifikasyon uygulamaları ve genel amaçlı transistor uygulamalarında tercih edilir. Through hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanılmaya uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 100MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-39
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok