Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
2N2919U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N2919U
2N2919U/TR Hakkında
2N2919U/TR, Microchip Technology tarafından üretilen dual NPN bipolar junction transistörleridir. Surface mount 3-SMD paketinde sunulan bu komponent, small-signal uygulamalarında kullanılır. Maksimum 30mA kolektör akımı, 60V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 150 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 350mW maksimum güç derecelendirmesi ve -55°C ile +200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, bu transistörleri ses amplifikatörleri, lojik seviyelendirme, sinyal şekillendirme ve düşük güçlü RF uygulamalarında kullanmaya uygun kılar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 350mW |
| Supplier Device Package | 3-SMD |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok