Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler
2N2917
TO 78 DUAL SILICON TRANSISTORS N
- Üretici
- Solid State Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-78-6 Metal Can
- Seri / Aile Numarası
- 2N2917
2N2917 Hakkında
2N2917, Solid State Inc. tarafından üretilen dual NPN silicon transistör dizisidir. TO-78-6 metal kaplı kasa ile sunulan bu komponent, two separate NPN transistörleri içermektedir. 30mA maksimum collector akımı, 150 minimum DC current gain (hFE) ve 45V collector-emitter breakdown voltajı ile karakterize edilir. 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile genel amaçlı sinyal amplifikasyonu, switching ve DC amplifier uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Saturation voltajı maksimum 350mV (100µA base akımı, 1mA collector akımı kondisyonlarında) ve collector cutoff akımı 2nA maksimumdir. Analog ve dijital devre tasarımlarında, ses frekansı amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve düşük-orta güç uygulamalarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-78-6 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Supplier Device Package | TO-78 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 100µA, 1mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok