Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N2907AUB

TRANS PNP 60V 0.6A

Paket/Kılıf
Ceramic
Seri / Aile Numarası
2N2907A

2N2907AUB Hakkında

2N2907AUB, Microchip Technology tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 60V collector-emitter voltajında, 600mA maksimum collector akımında çalışabilen bu bileşen, 500mW güç disipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 100'ün üzerinde olan transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Surface mount (SMD, No Lead) paketi ile üretilen 2N2907AUB, -65°C ile +200°C arasında çalışan endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer alır. Küçük sinyal işleme, ses amplifikasyonu, anahtar uygulamaları ve çeşitli analog devrelerde yaygın olarak tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case 3-SMD, No Lead
Part Status Active
Power - Max 500 mW
Supplier Device Package UB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok