Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N2907AE4
DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N2907A
2N2907AE4 Hakkında
2N2907AE4, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı PNP BJT transistördür. 600mA kollektör akımı ve 500mW güç dağıtım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 60V VCEO diyelectric sağlaması sayesinde çeşitli voltaj seviyelerinde çalışabilen devrelerde yer alır. DC akım kazancı (hFE) 100 minimum değeriyle yüksek akım yükseltme oranı sağlar. TO-18 metal kutu paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, genel sinyal işleme ve inverter uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı sunar ve through-hole montajı ile PCB'lere doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok