Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N2907AE3
TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N2907A
2N2907AE3 Hakkında
2N2907AE3, Microchip Technology tarafından üretilen PNP tipi küçük sinyal BJT transistördür. TO-18 metal kutu paketi ile gelen bu bileşen, maksimum 600 mA kolektör akımı ve 500 mW güç tüketimi kapasitesiyle tasarlanmıştır. 60V kollektör-emitter gerilim dayanımı, 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 1.6V doyum gerilimi özellikleri ile doğrusal ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -65°C ile +200°C arasında çalışan bu transistör, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, sinyal işleme ve düşük seviyeli mantık uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through Hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB üzerine doğrudan lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok