Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N2907A

T-PNP SI- AF OUTPUT

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
2N2907A

2N2907A Hakkında

2N2907A, NTE Electronics tarafından üretilen silikon PNP tipi bipolar transistördür (BJT). TO-18 metal kutulu paketlemede sunulan bu bileşen, 600 mA maksimum kollektör akımı ve 400 mW güç yeteneği ile AF (ses frekansı) çıkış uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen 2N2907A, gürültü azaltma, sinyal yükseltme ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır. 200 MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 60V maksimum Vce breakdown voltajı sayesinde çeşitli endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 400 mW
Supplier Device Package TO-18
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok