Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N2906AUB/TR
TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2N2906A
2N2906AUB/TR Hakkında
2N2906AUB/TR, Microchip Technology tarafından üretilen düşük sinyalli PNP bipolar junction transistörüdür. Surface mount UB paketinde sunulan bu komponent, maksimum 600mA collector akımı ve 60V breakdown gerilimi ile çalışır. 500mW güç derecelendirmesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. DC akım kazancı (hFE) 150mA ve 10V VCE'de minimum 40 değerine sahiptir. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesinde tercih edilir. Özellikle ses amplifikatörleri, sürücü devreleri ve düşük güçlü anahtarlama uygulamalarında yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, No Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UB |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok