Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N2824
TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- Stud
- Seri / Aile Numarası
- 2N2824
2N2824 Hakkında
2N2824, Rochester Electronics tarafından üretilen silikon epitaksiyel planar NPN bipolar junction transistördür (BJT). Stud mount konfigürasyonunda tasarlanmış bu komponent, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 30A maksimum collector akımı ve 118W güç kapasitesi ile güç yönetimi, motor sürücüleri, anahtarlama devrelerinde ve endüstriyel uygulamalarda çalışmaya uyundur. 100V collector-emitter breakdown voltajı, 20 MHz geçiş frekansı ve 600mV satürasyon voltajı özellikleriyle DC anahtarlama ve orta frekanslı sinyal işleme devrelerinde kullanılabilir. TO-211MB/TO-63 paketlemesi ısıl iletkenlikleri artırarak güç dağılımını optimize eder.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 20A, 3V |
| Frequency - Transition | 20MHz |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Package / Case | TO-211MB, TO-63-4, Stud |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 118 W |
| Supplier Device Package | TO-63 |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 1A, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok