Transistörler - JFET
2N2609
JFETS
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- 2N2609
2N2609 Hakkında
2N2609, Microchip Technology tarafından üretilen P-Channel JFET transistördür. 10 mA maksimum drain akımı ve 2 mA Idss değeri ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 300 mW güç disipasyon kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ~ 200°C) kararlı performans gösterir. 30 V breakdown voltajı ve 750 mV cutoff voltajı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Through Hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarında kullanım için uygundur. Ses amplifikatörleri, RF devreler ve analog anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2 mA @ 5 V |
| Current Drain (Id) - Max | 10 mA |
| FET Type | P-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 750 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok