Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N2222AE4
TRANS NPN 50V 0.8A TO-18
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N2222A
2N2222AE4 Hakkında
2N2222AE4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-18 metal kutulu paket içerisinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kollektör-emitter gerilimi ve 800mA kollektör akımı ile çalışabilir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE @ 150mA, 10V) ve 500mW maksimum güç dağılımı özelliğine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 200°C) sayesinde endüstriyel uygulamalara uygundur. Genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve darbe oluşturma uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok