Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N2222AE3
SMALL-SIGNAL BJT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-18-2
- Seri / Aile Numarası
- 2N2222A
2N2222AE3 Hakkında
2N2222AE3, Microchip Technology tarafından üretilen small-signal NPN bipolar junction transistördür. TO-18 metal can paketi ile sunulan bu bileşen, düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 800 mA kolektör akımı ve 500 mW güç kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devreleri için uygundur. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE), gürültü figürü düşük preamplifier ve RF devrelerinde tercih edilmesini sağlar. -65°C ile 200°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | TO-18 (TO-206AA) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok