Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N2219AE4
TRANS NPN 40V 0.8A TO-39
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N2219
2N2219AE4 Hakkında
2N2219AE4, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal kan paketinde sunulan bu transistör, 40V collector-emitter gerilimi ve 800mA maksimum collector akımı ile çalışır. 100 minimum DC current gain (hFE) değerine sahip olup, -55°C ile 200°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Maksimum 800mW güç tüketimi ile tasarlanmıştır. Sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, radyo frekans uygulamaları ve genel amaçlı amplifier tasarımında kullanılır. Through-hole montaj türü nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok