Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N2102
T-NPN SI- GEN PUR AMP
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N2102
2N2102 Hakkında
2N2102, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN bipolar transistördür. Genel amaçlı amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmış bu komponent, 1A maksimum kolektör akımı ve 1W güç tüketimiyle orta düzey sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 65V maksimum Vce diyelectric dayanımı sayesinde endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alabilir. TO-39 metal kutulu paket ile dış ortam etkilerine karşı korunur ve 175°C'ye kadar yüksek sıcaklıklarda çalışabilir. Ses amplifikatörleri, gerilim regülatörleri ve switch uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 2nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-39 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok