Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2N1890S
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-205AD
- Seri / Aile Numarası
- 2N1890
2N1890S Hakkında
2N1890S, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-39 metal kaplı DIP paketinde gelmektedir. 500 mA maksimum collector akımı, 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 80 V collector-emitter breakdown voltajı özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 800 mW maksimum güç derecelendirilmesi ile ses frekans amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı sinyal işleme uygulamalarında yer bulur. -65°C ile 200°C arasında çalışabilme kabiliyeti, geniş sıcaklık aralıklı ortamlarda kullanımı mümkün kılar. Through-hole montajı ile PCB tasarımında geleneksel lehimleme teknikleri uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TO-39 (TO-205AD) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 5V @ 15mA, 150mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok