Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2N1711

NPN TRANSISTOR

Paket/Kılıf
TO-205AA
Seri / Aile Numarası
2N1711

2N1711 Hakkında

2N1711, Microchip Technology tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-5 metal can paketi ile sunulan bu transistör, 500mA maksimum collector akımı ve 800mW güç yönetim kapasitesine sahiptir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile, 50V collector-emitter breakdown voltajı ve -65°C ile +200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Anahtarlama devrelerine, küçük sinyal amplifikasyonuna ve genel amaçlı BJT uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TO-5
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 15mA, 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok