Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2DB1182Q-13
TRANS PNP 32V 2A TO252
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- 2DB1182Q
2DB1182Q-13 Hakkında
2DB1182Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 32V çıkıştır. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 110MHz geçiş frekansıyla, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. 800mV maksimum doyum voltajı ve 1µA maksimum kesme akımıyla düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol sistemleri ve elektronik anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 3V |
| Frequency - Transition | 110MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 10 W |
| Supplier Device Package | TO-252-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 200mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok