Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2DB1132R-13
TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2DB1132R
2DB1132R-13 Hakkında
2DB1132R-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 32V collector-emitter gerilimi altında 1A'e kadar collector akımını kontrolle edebilmektedir. 190MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. 500mV saturation voltajı ile enerji verimliliği sağlayan bu transistör, ses amplifikatörleri, güç anahtarlama devreleri, genel amaçlı anahtarlama ve sinyal kuvvetlendirme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 100mA, 3V |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok