Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2DB1132Q-13
TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2DB1132Q
2DB1132Q-13 Hakkında
2DB1132Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisinde TO-243AA (SOT-89-3) paketinde sunulmaktadır. 32V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile çalışan bu transistör, 190MHz transition frequency'ye sahiptir. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. 500mV saturation voltajı ve 500nA maksimum collector cutoff akımı özellikleriyle düşük güç uygulamalarında tercih edilebilir. 1W maksimum power dissipation kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında dayanıklılık gösterir. Genel amaçlı anahtarlama ve işaret amplifikasyonu gibi elektronik devreler için uygun bir çözümdür. Parça durumu itibariyle artık üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 3V |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok