Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2DB1132P-13
TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2DB1132P
2DB1132P-13 Hakkında
2DB1132P-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. 32V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektor akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 190MHz transition frequency ile yüksek hızlı sinyal işleme devrelerinde tercih edilebilir. SOT-89-3 (TO-243AA) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 500mV saturasyon gerilimi ve 82 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleri ile düşük güç seviyesi uygulamalarına uygundur. Maksimum 1W güç disipasyonu kapasitesi ile sınırlı güç bütçesi olan tasarımlarda yer alabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 100mA, 3V |
| Frequency - Transition | 190MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok