Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2DB1119S-13
TRANS PNP 25V 1A SOT89-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2DB1119S
2DB1119S-13 Hakkında
2DB1119S-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1A kolektör akımı ve 25V breakdown voltajı ile çalışır. 200MHz transition frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 140 (50mA, 2V koşullarında) olup, maksimum 700mV saturasyon voltajı ile iyi anahtarlama özellikleri gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç tüketimi 1W ile sınırlıdır. Analog sinyal amplifikasyonu, düşük seviye anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer bulur. Obsolete durumda olduğu için yeni tasarımlarda yerine geçecek alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 50mA, 2V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok