Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2C3439

TRANSISTOR POWER BJT

Paket/Kılıf
Die
Seri / Aile Numarası
2C3439

2C3439 Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen 2C3439, NPN tipi power transistör olup Surface Mount paketinde sunulmaktadır. Maximum 1A collector akımı, 350V collector-emitter gerilimi ve 40 minimum DC current gain değerine sahiptir. -65°C ile +200°C arasında çalışabilen bu bileşen, düşük kolektör cut-off akımı (20µA) ve 500mV saturation gerilimi ile karakterize edilmektedir. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri, amplifikatör tasarımları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde kullanılan bir transistördür. Die paket konfigürasyonu yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamalar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Active
Supplier Device Package Die
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 350 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok