Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

2003

RF TRANS NPN 50V 2GHZ 55BT-1

Paket/Kılıf
55BT-1
Seri / Aile Numarası
2003

2003 Hakkında

Microchip Technology tarafından üretilen 2003, RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2GHz transition frequency ile radyo frekans ve yüksek hızlı anahtarlama devrelerinde kullanılır. 500mA maksimum collector akımı, 8.5dB kazanç ve 12W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile RF amplifikatörler, osilatörler ve switch uygulamalarında yer alır. 55BT-1 paketinde sunulan bu bileşen, 200°C'ye kadar çalışabilir. Şu anda üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 2GHz
Gain 8.5dB
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature 200°C (TJ)
Package / Case 55BT-1
Part Status Obsolete
Power - Max 12W
Supplier Device Package 55BT-1
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok