RF Diyotlar

1SV251-TB-E

RF DIODE PIN 50V 150MW 3CP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Kategori
RF Diyotlar
Seri / Aile Numarası
1SV251

1SV251-TB-E Hakkında

1SV251-TB-E, onsemi tarafından üretilen RF PIN diyottur. TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulan bu bileşen, düşük kapasitans ve kontrollü direnç özellikleri ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. 50V tepe ters gerilim, 150mW güç tüketimi ve 0.23pF @ 50V kapasitansı ile atenuatör, anahtar ve faz kaydırıcı devreleri tasarımında tercih edilir. 10mA akımda 4.5Ohm direnç değeri ve -40°C ile 125°C çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur. PIN diyotların doğrusal direnç kontrolü sayesinde hassas RF sinyal kontrolü gerekli olan sistemlerde yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 0.23pF @ 50V, 1MHz
Current - Max 50 mA
Diode Type PIN - 1 Pair Series Connection
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 150 mW
Resistance @ If, F 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz
Supplier Device Package 3-CP
Voltage - Peak Reverse (Max) 50V

Kaynaklar

Datasheet

1SV251-TB-E PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok