RF Diyotlar
1SV250-TB-E
PIN DIODE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- RF Diyotlar
- Seri / Aile Numarası
- 1SV250
1SV250-TB-E Hakkında
1SV250-TB-E, Rochester Electronics tarafından üretilen bir PIN diyottur. PIN diyotlar (P-intrinsic-N junction), RF ve microwave uygulamalarında anahtarlama, attenuation ve fotodetektör işlevleri için kullanılan özel diyot türüdür. Bu komponent, düşük kapasite değeri (0.23pF @ 50V, 1MHz) ve düşük direnç (4.5Ohm @ 10mA, 100MHz) ile karakterize edilir. 50V maksimum reverse voltaj kapasitesi ve 150mW maksimum güç tüketimi ile tasarlanmıştır. TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) paketinde sunulan bu diyot, RF switch uygulamaları, PIN attenuatör devreleri ve yüksek frekans sistemlerde kullanılmaktadır. 125°C çalışma sıcaklığında stabil performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.23pF @ 50V, 1MHz |
| Current - Max | 50 mA |
| Diode Type | PIN - Single |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150 mW |
| Resistance @ If, F | 4.5Ohm @ 10mA, 100MHz |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok