Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N914B_T50R
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N914B
1N914B_T50R Hakkında
1N914B, onsemi tarafından üretilen genel amaçlı silicon diyottur. DO-35 axial paket içinde gelen bu bileşen, 100V ters gerilim yeteneğine ve 200mA ortalama doğrultulu akımına sahiptir. 4ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum ileri gerilim 100mA akımda 1V civarındadır. İçyapı sıcaklığı maksimum 175°C'ye kadar dayanabilen bu diyot, analog ve dijital devreler, güç kaynakları, anahtarlama uygulamaları ve sinyal yönetiminde yer alan genel doğrultma görevleri için tasarlanmıştır. Düşük kapasitans değeri (4pF @ 1MHz) yüksek frekanslı uygulamalarda tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 4pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 75 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Supplier Device Package | DO-35 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 100 mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok