Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N8035-GA
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-276AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N8035
1N8035-GA Hakkında
1N8035-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj toleransı ve 14.6A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-276AA yüzey montajı paketinde sunulan bu diyot, 1.5V maksimum ileri voltaj düşümü ve 5µA ters kaçak akımı özellikleriyle karakterizedir. Recovery time sıfır olması nedeniyle yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 250°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde doğrultu diyodu olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 14.6A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
| Package / Case | TO-276AA |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-276 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 15 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok