Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N8034-GA
DIODE SCHOTTKY 650V 9.4A TO257
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-257-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N8034
1N8034-GA Hakkında
1N8034-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 9.4A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-257-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük forward voltage düşüşü (1.34V @ 10A) ve sıfır reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile 250°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, anahtarlama güç kaynakları, PFC devreleri ve yüksek sıcaklık uygulamalarında tercih edilir. Bileşen halen üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 9.4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
| Package / Case | TO-257-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.34 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok