Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N8033-GA
DIODE SCHOTTKY 650V 4.3A TO276
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-276AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N8033
1N8033-GA Hakkında
1N8033-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky doğrultma diyotudur. 650V ters voltaj dayanımı ve 4.3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. TO-276AA SMD paketinde sunulan bu bileşen, 0ns ters kurtarma süresi (reverse recovery time) sayesinde yüksek frekanslı switching uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 250°C arasında çalışan bileşen, 1.65V ileri voltaj düşüşü ve düşük ters kaçak akımı (5µA @ 650V) karakteristiklerine sahiptir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve enerji dönüşüm sistemlerinde uygulanır. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 274pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4.3A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
| Package / Case | TO-276AA |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-276 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.65 V @ 5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok